该半导体材料创造厂包括制造制造8英尺晶圆，制造制造的时候中制造四种高氧化还原电位电子设备工业废水，兼具材质复杂的、致癌性大、难可降解等特征。以往外理系统的对氟化物和有机会破坏物清除效率不佳，需来进行的技术整改。 废水处理工艺化学物质及因素 存储芯片刻蚀废水处理工艺：含高氨水浓度氟化物(200-800mg/L)、磷酸 CMP碾磨生产废水：含nm级硅粉、铜粉及有机的碾磨剂 光刻胶废水处理：含光刻胶残存物、显影液液等濃度值有机化学污染源物(COD高达10000mg/L这些) 进行维护清洁污废水 ：含异丙醇、异丙醇等有机肥料溶液 外理生产技术的流程 按照"分质加工处理+高被氧化+生物学进阶"的科技创新生产工艺行车路线： 分质解决系统软件 ： 氟化物生产废水：用到多级耐腐蚀发展法，先添加氯化钙确立氟化钙发展，再使用铝盐水泥混凝土增幅祛除 CMP废水处理艺：沥青混凝土沉淀出的+工业陶瓷膜过滤水整合艺彻底清除纳米技术科粒 濃度值有机质废水补救：独立回收利用后进行高等级氧化物预补救 中高级氧化反应单无 ： 臭氧老化老化离子液体钝化：运用专门离子液体剂，挺高臭氧老化老化运用率 化学反应阳极氧化：涉及难挥发有机化学物使用程度工作 微生物外理软件系统 ： 软型式好氧池生理流化床反应器：高效性挥发脂溶性结构充分物 好氧中移动床海洋生物膜生理反应釜(MBBR)：抗冲刺负载专业能力强 生物技术特异性炭滤池：进每一步我们要除氢化物发生器环境有害物质 强度净化系统單元 ： ro反渗透到膜+ro反渗透到双膜操作系统：切实保障溢水满意高超纯水中水回用符合要求 正亚铁离子调换平台：剔除残余物正亚铁离子 终究结果 体统稳固作业后，相关要求不同于开发要求： 氟化物<5mg/L(彻底清除率>99%) COD<30mg/L(取除率>99.5%) 总铜<0.1mg/L 有水出电阻器率>15MΩ·cm(实现研发新工艺循环规定) 大型项目做到了75%的污水造纸废污水处理率，年限制污水废气量约二十万吨，中高级氧化反应模快的能效比比中国传统工艺技术骤降30%，操作成本预算同质性骤降。